Cr掺杂对Cu/Si(100)薄膜体系的微观结构及电阻率的影响

• 作者: 刘嘉聪 姜传海 洪波 王新建 董显平
• 来源期刊: 中国有色金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cu(Cr)薄膜 织构 热稳定性 电阻率
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 页码范围: 1916-1921
• 页数: 6页
• 分类号: TM241.1
• 字数: 3667字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-0609.2007.12.002

摘要

利用简易合金靶在Si(100)衬底磁控溅射制备Cu、Cu-1.19%Cr和Cu-2.18%Cr薄膜,研究Cr对Cu薄膜在300～500 ℃真空退火前后的结构和电阻率的影响.X射线衍射分析表明:Cu及Cu(Cr)薄膜均呈现Cu(111) 和Cu(200)衍射峰,并且Cu(Cr)薄膜一直保持较强的(111)织构.原子力显微分析表明:Cu薄膜在500 ℃退火时,薄膜与硅基底发生明显的互扩散,薄膜表面的致密度及平整度下降;而Cu(Cr)薄膜在退火时保持较高的致密度,Cr显著提高Cu/Si薄膜体系的热稳定性.Cu(Cr)薄膜的电阻率随温度升高先减小而后增加,在400 ℃及500 ℃退火30 min后分别达到最小值2.76 Μω.cm和2.97 μΩ.cm,与纯Cu膜相近(2.55 μΩ.cm).Cu(Cr)薄膜退火电阻率的大幅度减小与薄膜晶粒尺寸的增加以及Cr的扩散有关.适量的Cr掺杂和合理的退火工艺使得Cu(Cr)合金薄膜在高温互连材料方面具有很大的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董显平		7	38	3.0	6.0
2	王新建		2	10	2.0	2.0
3	刘嘉聪		1	7	1.0	1.0
4	洪波		1	7	1.0	1.0
5	姜传海		1	7	1.0	1.0