磁控溅射工艺参数对Cu薄膜电阻率的影响

• 作者: 杨丽红 陈皓帆
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 Cu薄膜 电阻率 临界尺寸 正交试验 基底温度
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 分类号: TP212.1
• 字数: 3056字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2013.04.004

摘要

在确定Cu薄膜临界尺寸的基础上,选定基底温度、靶基距、溅射功率和工作气压为影响因素设计正交试验,研究了磁控溅射制备工艺对Cu薄膜电阻率的影响.研究结果表明:基底温度是影响薄膜电阻率的最主要因素,电阻率随着基底温度的升高而减小；在工艺条件为基底温度200℃、靶基距45 mm、溅射功率100 W、工作气压0.5Pa时,所制薄膜的电阻率将会达到最小.最后,结合薄膜微观形貌对试验结论进行了分析,并对最佳工艺条件进行了实验验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨丽红	上海理工大学机械工程学院	61	267	9.0	14.0
2	陈皓帆	上海理工大学机械工程学院	5	29	2.0	5.0