三势垒共振隧穿结构中极大增强的光生空穴共振隧穿

• 作者: 孙晓明 张飞 徐平 朱汇 李桂荣 甘华东 章昊 肖文波 谭平恒 郑厚植
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光激发 空穴 共振隧穿 峰谷比
• 年，卷（期）: 2007,（2）
• 页码范围: 81-84
• 页数: 4页
• 分类号: O47
• 字数: 571字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2007.02.001

摘要

研究了电子隧穿出射端嵌入1.2 μm厚n型弱掺杂GaAs层的三势垒双阱隧穿结构,观察到了隧穿峰谷比高达36的光生空穴共振隧穿峰.研究证实1.2 μm厚n型弱掺杂GaAs层在光照下产生的大量光生空穴以及空穴隧穿出射端的23 nm宽的量子阱中量子化的空穴能级对空穴隧穿谷电流的限制作用,是导致高峰谷比的光生空穴隧穿现象的主要原因.