圆片键合强度测试方法分析

• 作者: 史铁林 廖广兰 汤自荣 聂磊
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 圆片级封装 键合强度 测试
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 64-67
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 2653字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2007.01.018

摘要

介绍了三种典型的圆片键合强度表现形式:抗拉强度、剪切强度和粘接强度.针对每种表现形式的特点,分析了相应的测试方法.抗拉和剪切强度以力为表征,主要的测试方法是一维直拉法,可测78.4 MPa强度以下的键合样件,但是测试样件制备要求比较严格;粘接强度是以能量形式表征键合强度,可以从本质上了解键合质量,主要测试方法是DCBT法.但是DCBT法需要精确计算所做的功,对测试设备要求较高.因此,抗拉和剪切强度主要应用于生产实际中而粘接强度侧重于科研工作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史铁林	华中科技大学机械学院	192	2245	25.0	38.0
3	廖广兰	华中科技大学机械学院	64	654	12.0	24.0
5	聂磊	华中科技大学机械学院	17	149	8.0	11.0
13	汤自荣		1	5	1.0	1.0