平面型RTD与BJT构成的串联单元特性分析

• 作者: 于欣 牛萍娟 王伟 胡留长 郭维廉
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 平面型共振隧穿二极管 离子注入 RTD/BJT串联单元 高级设计系统
• 年，卷（期）: 2007,（1）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 6-10
• 页数: 5页
• 分类号: TN313.2
• 字数: 2091字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.01.002

摘要

采用了n+-GaAs衬底和硼离子注入的新型工艺实现了共振隧穿二极管(RTD)的平面化,解决了台面型RTD工艺的不足,得到常温电流峰谷比为2.5:1的平面型RTD(PRTD);利用高级设计系统ADS电路模拟和实验测量对PRTD与BJT串联单元的不同串联方式的电压-电流特性进行了深入分析.这一特性的研究对RTD与异质结双极晶体管(HBT)、MOSFET、高电子迁移率晶体管(HEMT)等三端器件的结合具有普遍意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛萍娟	天津工业大学信息与通讯学院	123	617	13.0	17.0
2	郭维廉	天津工业大学信息与通讯学院	145	419	10.0	12.0
4	王伟	天津工业大学信息与通讯学院	21	65	4.0	7.0
5	于欣	天津工业大学信息与通讯学院	13	48	4.0	6.0
8	胡留长	天津大学电子信息工程学院	5	0	0.0	0.0