半导体和半导体器件中的击穿现象

• 作者: 孔梅影
• 来源期刊: 国外科技新书评介
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体器件 击穿现象 雪崩晶体管 光二极管 Impact 击穿效应 抑制器 等离子
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 页码范围: 21
• 页数: 1页
• 分类号: TN303

摘要

碰撞离化、雪崩和击穿效应是许多重要的半导体器件的基础。如雪崩光二极管、雪崩晶体管、抑制器、锐化二极管（击穿被延迟的二极管）、Impact和俘获等离子雪崩触发渡越二极管等。为了获得最快的速度和最大的功率，许多半导体器件必须在击穿或十分接近击穿的条件下工作。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孔梅影	中国科学院半导体研究所	22	29	3.0	5.0