耐高温SOI结构压力敏感芯片的研制

• 作者: 孙承松 庞世信 徐开先 李新
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高温 SOI结构 压力敏感芯片
• 年，卷（期）: 2007,（7）
• 所属期刊栏目: 物理量传感器
• 页码范围: 172-173,182
• 页数: 3页
• 分类号: TP212.12
• 字数: 1029字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2007.07.054

摘要

如何制作与生产适宜高温环境下应用的压力传感器,一直备受关注.在SIMOX技术SOI晶圆的基础上,设计了压力敏感芯片结构,并基于MEMS工艺制作了芯片.电桥采用1 mA恒流源供电,在300℃下,满量程输出≥180 mV,灵敏度为30～40 mV/(mA·MPa),非线性≤1‰FS,重复性≤1%oFS.与常温测试结果相比,300℃高温下,敏感芯片的静态性能没有明显差异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李新	沈阳工业大学信息科学与工程学院	60	231	9.0	12.0
3	孙承松	沈阳工业大学信息科学与工程学院	17	134	6.0	11.0
4	徐开先		6	68	4.0	6.0
7	庞世信		1	6	1.0	1.0