低静态电流CMOS电压基准源设计

• 作者: 李先锐 李玉山 来新泉
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 电压基准 亚阈值 低功耗
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 852-854
• 页数: 3页
• 分类号: TN433
• 字数: 2236字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2007.03.032

摘要

为了实现低功耗,尤其是低的静态功耗,在传统的带隙基准基础上设计的低静态电流CMOS基准源,是利用CMOS晶体管工作在弱反型区饱和漏电流随电压呈指数关系的原理实现的.在保证低温度系数18.9×10-6℃和高精度的同时,实现了低的静态电流.仿真的结果显示其输出基准电压是1.109 V,工作电压3 V时,消耗功耗为1.2 μW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李玉山	西安电子科技大学电路设计研究所	28	287	9.0	16.0
2	李先锐	西安电子科技大学电路设计研究所	3	19	2.0	3.0
3	来新泉	西安电子科技大学电路设计研究所	29	246	9.0	15.0