原位氧化Zn3N2制备P型ZnO薄膜的性能研究

• 作者: 付玉军 张军 李晖 谢二庆 邵乐喜
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: p型ZnO薄膜 Zn3N2薄膜 射频溅射 原位氧化
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4914-4919
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3989字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.08.090

摘要

采用射频反应溅射法在玻璃衬底上制备Zn3N2薄膜,然后向真空室中通入纯氧气进行热氧化制备ZnO薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测量、透射光谱和光致发光光谱等表征技术,研究了氧化温度和氧化时间对ZnO薄膜的结晶质量、电学性质和光学性能的影响.研究结果显示,450 ℃下氧化2 h后的样品中除含有ZnO外,还有Zn3N2成分,500 ℃下氧化2 h可以制备出电阻率为0.7 Ωcm,空穴载流子浓度为1017cm-3,空穴迁移率为0.9 cm2/Vs的具有c轴择优取向的p型ZnO薄膜.此时的ZnO薄膜具有良好的光学特性,紫外可见光范围内透过率为85%,处于紫外区域的激子复合产生的发光峰很强,且半高宽较窄,而处于可见光部分来自于深能级发射的绿色发光峰很弱.这种工艺制备的ZnO薄膜质量较好,有利于实现在短波长光电器件方面的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢二庆	兰州大学物理科学与技术学院	84	371	11.0	14.0
2	张军	兰州大学物理科学与技术学院	65	414	11.0	18.0
6	邵乐喜	湛江师范学院物理科学与技术学院	22	106	6.0	9.0
7	李晖	兰州大学物理科学与技术学院	12	46	4.0	6.0
8	付玉军	兰州大学物理科学与技术学院	8	51	4.0	7.0