智能型高压SENSFET器件的设计分析和实现

• 作者: 张波 易坤 李泽宏 李肇基 王一鸣 王小松
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 智能功率集成电路 高压SENSFET Double RESURF JFET
• 年，卷（期）: 2007,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1961-1966
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 1913字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.12.021

摘要

基于JFET原理,采用Double RESURF技术,对SENSFET的降场层注入剂量、始点位置和长度以及Nwell注入剂量等进行优化设计,得到了耐压730V、JFET线性区电阻为7.2×105Ω·μm的智能高压SENSFET器件.流片结果表明,器件宽度为75μm情况下,SENSFET的击穿电压为700V,线性区电阻为10kΩ.设计分析和实验结果吻合得很好.借助该SENSFET器件可以很好地实现智能功率集成电路中高压器件的信号检测和电路的自供电功能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	206	1313	17.0	26.0
2	李肇基	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	85	958	14.0	28.0
3	李泽宏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	32	111	6.0	8.0
5	王一鸣	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	23	4.0	4.0
6	王小松	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	18	3.0	3.0
7	易坤	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	21	2.0	2.0