不同形貌Ga2O3纳米材料可控合成工艺研究

• 作者: 万里冰 孟阿兰 李镇江 高卫东
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: β-Ga2O3纳米材料 不同形貌 合成 形成机理
• 年，卷（期）: 2007,（z2）
• 页码范围: 296-298
• 页数: 3页
• 分类号: TQ174.6|TB383
• 字数: 2674字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-185x.2007.z2.085

摘要

通过研究基片种类、加热温度、保温时间、冷却速度及是否加入催化剂等不同工艺参数对低维Ga2O3纳米材料形貌的影响,确定出合成5种不同形貌β-Ga2O3纳米材料的工艺条件.场发射扫描电镜(FE-SEM)表明5种不同形貌β-Ga2O3纳米材料分别为纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环及纳米片.X射线衍射(X-ray)分析结果表明不同形貌纳米材料均为晶格常数α=1.223 nm,b=0.304 nm,c=0.58 nm,α=90°,β=103.7°,γ=90°的单斜晶系β-Ga2O3晶体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟阿兰		29	152	7.0	11.0
2	李镇江		42	140	7.0	8.0
4	万里冰		3	9	2.0	3.0
5	高卫东		4	10	2.0	3.0