用MOCVD方法制备ZnO:B透明导电薄膜及其性能优化

• 作者: 余跃波 孟凡英 江民林 胡宇
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO B 光学透过率 电阻率 透明导电薄膜(TEO) MOCVD
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 理论与实践
• 页码范围: 939-943
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3396字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0254-0096.2008.08.005

摘要

采用金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)方法在石英衬底上生长氧化锌(ZnO)薄膜.改变薄膜材料的生长温度和掺杂气体硼烷(B2H6)的流速,制备一系列薄膜样品.通过x-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透过率、反射率、电阻率和原子力显微镜(AFM)等测试分析,研究了材料生长温度和B2H6流速对薄膜生长速度、微观结构、薄膜晶向、光学透过率、光学禁带宽度、电阻率、表面粗糙度等特征参量的影响,经过优化实验条件,获得薄膜电阻率在10-3Ω·cm量级,可见光区域光学透过率在85%以上,成功制备低电阻率高光学透过率的ZnO透明导电薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟凡英	上海交通大学物理系太阳能研究所	21	178	9.0	13.0
2	余跃波	上海交通大学物理系太阳能研究所	3	30	2.0	3.0
3	江民林	上海交通大学物理系太阳能研究所	3	30	2.0	3.0
4	胡宇	上海交通大学物理系太阳能研究所	8	50	4.0	7.0