GaN负电子亲和势光电阴极材料的生长研究

• 作者: 曾正清 李朝木 陈群霞
• 来源期刊: 真空与低温
• 学科: 工学
• 关键词: 负电子亲和势 GaN光电阴极激活 紫外敏感材料 光电探测
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 知识与进展
• 页码范围: 236-239
• 页数: 4页
• 分类号: TN205
• 字数: 3844字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2008.04.012

摘要

采用低压金属有机化学汽化淀积法在蓝宝石(0001)衬底上生长2～5 um厚度的P～AlxGa1-xN/GaN层(0<X≤0.4),在AlxGa1-x层中的Al浓度为0.2<X<0.3.P型GaN激活层的电子扩散长度确定为2～5 um,并获得1×1019/cm<'3>的掺杂浓度,且具有忽略不计的复合分界面.详述了MOCVD生长大尺寸紫外光电阴极材料发展前景和工艺的重复性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李朝木	中国电子科技集团公司第五十五研究所	8	47	5.0	6.0
2	曾正清	中国电子科技集团公司第五十五研究所	5	29	3.0	5.0
3	陈群霞	中国电子科技集团公司第五十五研究所	3	28	2.0	3.0