功率VDMOSFET单粒子效应研究

• 作者: 冯彬 刘忠山 刘英坤 孙艳玲 崔占东 段雪 胡顺欣 董四华 郎秀兰
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 功率纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 单粒子栅穿 单粒子烧毁 缓冲屏蔽 锎源
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 573-576
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1|TN306|TN323.4
• 字数: 2657字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.10.003

摘要

阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理.研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺.通过对所研制的漏源击穿电压分别为65 V和112 V两种n沟功率VDMOS-FET器件样品进行锎源252Cf单粒子模拟辐射实验,研究了新技术VDMOSFET的单粒子辐射敏感性.实验结果表明,两种器件样品在锎源单粒子模拟辐射实验中的漏源安全电压分别达到61 V和110 V,验证了新结构和新工艺在提高功率VDMOSFET抗单粒子效应方面的有效性.