硫化对Cu-In预制膜微结构的影响

• 作者: FANG Ling LU Zhi-chao YAN You-hua Zhu Jing-sen 刘迎春 周少雄 李德仁 赵海花
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cu-In预制膜 CuInS2薄膜 硫源温度
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 60-64
• 页数: 5页
• 分类号: TB43|TM615
• 字数: 3271字
• 语种: 中文

摘要

采用电沉积-硫化法制备了CuInS2薄膜,考察了硫源温度对CuInS2薄膜微结构的影响,并分析了硫化过程中的反应动力学.采用扫描电子显微镜(SEM)和能潜仪(EDS)观察并分析了薄膜的表面形貌和组分,采用X射线衍射仪(XRD)表征了薄膜的组织结构.结果表明,硫化过程的生长动力学不同于硒化过程,CuInS2薄膜的生长遵循扩散机制,当硫源温度在300～340℃之间,均可制得单一黄铜矿相结构且沿(112)面择优取向生长的CuInS2薄膜,且硫源温度为340℃制备的CuInS2薄膜均匀、致密,晶粒尺寸约为1μm,适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李德仁		20	161	7.0	12.0
2	赵海花		5	11	2.0	3.0
3	YAN You-hua		1	1	1.0	1.0
4	刘迎春		5	12	2.0	3.0
5	FANG Ling		1	1	1.0	1.0
6	Zhu Jing-sen		1	1	1.0	1.0
7	LU Zhi-chao		1	1	1.0	1.0