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摘要:
采用磁控溅射工艺在Si基片上沉积500 nm厚Cu膜,并在不同温度下进行快速退火处理.用X射线衍射仪、扫描电镜、光学相移方法研究薄膜的微结构与应力.结果表明:随着退火温度T增加,Cu(111)择优取向系数δCu(111)不断减小, 薄膜的Cu(111)/Cu(200)取向组成比值减小;在T=773 K条件下退火的薄膜形成了显著的空洞与裂纹;当T在小于673 K范围内增加时,薄膜应力由拉应力不断减小继而转变为压应力,而当T=773 K时,薄膜又呈现出较大的拉应力.
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文献信息
篇名 退火温度对Cu膜微结构与应力的影响
来源期刊 桂林工学院学报 学科 工学
关键词 铜膜 微结构 残余应力 退火
年,卷(期) 2009,(3) 所属期刊栏目 材料科学与应用化学
研究方向 页码范围 327-330
页数 4页 分类号 TN305.8|TB43
字数 2977字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1674-9057.2009.03.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 雒向东 中国空间技术研究院兰州物理研究所 30 121 7.0 9.0
5 罗崇泰 中国空间技术研究院兰州物理研究所 11 38 4.0 5.0
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铜膜
微结构
残余应力
退火
研究起点
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
桂林理工大学学报
季刊
1674-9057
45-1375/N
16开
广西桂林市建干路12号
48-7
1981
chi
出版文献量(篇)
2706
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1
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16310
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