Mg掺杂AlGaN的特性研究

• 作者: 刘启佳 刘斌 吴超 张曾 张荣 李弋 聂超 谢自力 郑有炓 陆海 陈鹏 韩平
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN薄膜 Mg掺杂 热退火 表面形貌 阴极射线发光
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 512-515,541
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.26|TN304.055|TN305.3|O434.19
• 字数: 2328字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2008.09.005

摘要

采用金属有机物化学气相淀积方法在Al2O3衬底上生长不同浓度Mg掺杂的AlxGa1-xN合金薄膜,并在750℃、N2气氛下对Mg进行热退火激活.用X射线衍射ω-2θ扫描计算确定样品的Al组分,发现Mg摩尔掺杂浓度和退火对Al组分均未产生明显影响.X射线衍射摇摆曲线与原子力显微镜扫描表明随Mg摩尔掺杂浓度增加,样品晶体质量下降,样品表面凹坑增加,但热退火对薄膜表面形貌有明显的改善.阴极射线发光测量发现带边峰强度随掺杂浓度增加而减弱,退火后样品的施主-受主对复合发射与导带受主的复合发射均有增强,验证了热退火对钝化受主杂质的激活作用,对实现高效AlGaN的P型掺杂具有重要意义.