2×25.4 mm GaN LED外延膜的激光剥离及其衬底的重复利用

• 作者: 刘宝林 郑清洪 黄瑾
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 激光剥离 蓝宝石衬底抛光
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 1493-1496
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2787字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2008.11.016

摘要

利用激光剥离技术实现直径为50.8 mm CaN LED外延膜的大面积完整剥离.激光剥离后的原子力显微镜(AFM)扫描和X射线双晶衍射谱(XRD)表明剥离前后外延膜的质量并未明显改变.并报道了在剥离掉后的蓝宝石(α-Al2O3)衬底上MOCVD外延生长InGaN/CaN多量子阱(MQW's)LED器件结构,通过光致发光谱(PL)和XRD谱对比分析了在相同条件下剥离掉后衬底与常规衬底上生长的CaN LED外延膜晶体质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘宝林	厦门大学物理系	30	167	9.0	11.0
2	黄瑾	厦门大学物理系	5	11	2.0	3.0
3	郑清洪	厦门大学物理系	3	18	2.0	3.0