基片温度对金刚石厚膜生长的影响

• 作者: 曹菊琴 汪建华 满卫东 熊礼威 谢鹏
• 来源期刊: 武汉工程大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 化学气相沉积 金刚石厚膜 微波等离子体
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 83-86
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2085字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-2869.2008.01.024

摘要

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备了ф60 mm的金刚石厚膜,通过对沉积过程和结果的观察发现,由于所用沉积气压较高,基片不同区域温度不均匀,导致不同区域沉积的金刚石厚膜晶型差距较大.通过对不同区域的结果进行比较,发现850℃为较好的沉积温度,并在对沉积工艺进行优化后,采用该温度在ф60mm的基片上制备了厚度为0.6 mm取向性很好的金刚石厚膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪建华	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	123	698	14.0	19.0
2	满卫东	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	45	370	11.0	16.0
3	熊礼威	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	37	243	9.0	14.0
4	曹菊琴	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	2	21	2.0	2.0
5	谢鹏	武汉工程大学湖北省等离子体化学与新材料重点实验室	13	110	6.0	10.0