BiCMOS工艺中VNPN晶体管的优化设计

• 作者: 吕海凤 吴虹 孙伟锋 李海松
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: BiCMOS VNPN β [BV]CEO TCAD
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件
• 页码范围: 488-491
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 3009字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.02.027

摘要

BiCMOS工艺对晶体管的工艺条件设计提出了更高的要求.结合实际BiCMOS工艺,借助专业TCAD模拟软件ISE,模拟了晶体管基区注入和退火等工艺条件对VNPN晶体管的电流增益β和击穿电压BVCEO的影响,给出了优化的设计方案.在线流片结果表明优化后:晶体管β=47,[BV]CEO=9.5 V,达到了低频功率晶体管的应用要求,同时保证了BiCMOS工艺中的CMOS器件性能不变,并且工艺稳定可在线量产.因此这种优化设计是可取的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李海松	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	13	75	4.0	8.0
2	孙伟锋	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	105	634	13.0	19.0
3	吴虹	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	3	5	2.0	2.0
4	吕海凤	东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心	1	0	0.0	0.0