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均匀沉淀法制备SBN50陶瓷及其介电性能研究
均匀沉淀法制备SBN50陶瓷及其介电性能研究
作者:
刘俊涛
唐林江
戚冰
陈国华
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
无机非金属材料
均匀沉淀法
SBN50
介电性能
弥散相变
摘要:
以硝酸盐和NbF5为原料,尿素为沉淀剂,采用均匀沉淀法合成了Sr0.5Ba0.5Nb2O6 ( SBN50 )前驱体,对前驱体及SBN50陶瓷的结构及介电性能进行研究.结果表明:前驱体经900 ℃煅烧可合成纯相SBN50粉体,颗粒平均粒径为100 ~ 200 nm,较固相法低100 ~ 200 ℃.1 400 ℃烧结制备的陶瓷相对密度达93%,无晶粒异常长大,在60 ℃附近有一明显弥散介电峰,tanδ峰值温度随频率增加移向高温.室温10 kHz下,其εr为1 500,tanδ为0.025.
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文献信息
篇名
均匀沉淀法制备SBN50陶瓷及其介电性能研究
来源期刊
电子元件与材料
学科
工学
关键词
无机非金属材料
均匀沉淀法
SBN50
介电性能
弥散相变
年,卷(期)
2008,(11)
所属期刊栏目
研究与试制
研究方向
页码范围
18-20,24
页数
4页
分类号
TQ174|TM22
字数
2610字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1001-2028.2008.11.006
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
陈国华
桂林电子科技大学信息材料科学与工程系
128
849
15.0
22.0
2
唐林江
桂林电子科技大学信息材料科学与工程系
3
12
2.0
3.0
3
戚冰
桂林电子科技大学信息材料科学与工程系
5
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桂林电子科技大学信息材料科学与工程系
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研究主题发展历程
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无机非金属材料
均匀沉淀法
SBN50
介电性能
弥散相变
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
主办单位:
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
开本:
大16开
出版地:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
邮发代号:
62-36
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
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电子元件与材料2008年第5期
电子元件与材料2008年第4期
电子元件与材料2008年第3期
电子元件与材料2008年第2期
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