用拉曼光谱测量离子注入引起的晶格应变

• 作者: 英敏菊 董西亮
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 化学
• 关键词: 离子注入 GaAs 超晶格 晶格应变 拉曼光谱
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 671-674
• 页数: 4页
• 分类号: O657.37|O47
• 字数: 3196字
• 语种: 中文

摘要

对于10个周期的AlAs/GaAs超晶格和25个周期的GaAs/Ga0.92In0.08As超晶格,在室温下进行0.28 MeV的Zn+注入,注入剂量为5×1013～5×1014 cm-2.通过拉曼光谱测量,定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变.实验结果表明:在所选用的注入剂量下,由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非驰豫应变值0.038,说明该注入条件下,注入区的结晶态仍然保持得比较好.在较高注入剂量下应变达到饱和,说明缺陷的产生和复合达到了平衡,从而形成了均衡的应变场分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	英敏菊	北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室	6	3	1.0	1.0
10	董西亮	北京师范大学低能核物理研究所	1	1	1.0	1.0