808nm无铝有源区激光器研究

• 作者: 刘英斌 安振峰 花吉珍 陈宏泰
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 无铝有源区 外延生长 大功率 寿命
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 500-502,557
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.8
• 字数: 1433字
• 语种: 中文

摘要

外延生长了InGaAsP/GaInP/AlGaInP无铝有源区808 nm激光器材料,制作了标准准连续(QCW)单条器件.结果表明,器件工作波长为808nm,腔面未镀膜时,其阈值电流密度为286A/cm2,斜率效率为1.2W/A,内损耗为2.1cm-1,内量子效率为0.87.镀膜后,阈值电流密度为300A/cm2,180A时的输出功率为180W,斜率效率大于1.15W/A.在载体温度为60℃时,准连续工作3×108个脉冲后,功率下降小于5%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘英斌	中国电子科技集团公司第十三研究所	10	54	5.0	7.0
2	陈宏泰	中国电子科技集团公司第十三研究所	25	102	6.0	8.0
3	花吉珍	中国电子科技集团公司第十三研究所	18	74	5.0	7.0
5	安振峰	中国电子科技集团公司第十三研究所	31	150	7.0	10.0