聚酰亚胺为栅绝缘层的并五苯场效应晶体管

• 作者: 张旭辉 张福甲 欧谷平 董茂军 陶春兰
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 有机场效应晶体管(OFET) 并五苯 迁移率 聚酰亚胺
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 161-163
• 页数: 3页
• 分类号: TN321
• 字数: 2032字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2008.02.007

摘要

以真空蒸发的有机半导体材料并五苯为有源层,以旋涂的聚酰亚胺作为栅绝缘层,以真空蒸发的Al为栅、源和漏电极,成功制作了顶接触式并五苯有机场效应晶体管(OFET).测试表明,在源漏电压为70 V时,器件的载流子迁移率μ为0.079 cm2/V·s,器件的开关电流比为1.7×104.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	欧谷平	兰州大学物理科学与技术学院	27	88	6.0	7.0
3	张福甲	兰州大学物理科学与技术学院	71	318	9.0	14.0
6	董茂军	兰州大学物理科学与技术学院	7	17	3.0	3.0
7	张旭辉	兰州大学物理科学与技术学院	5	11	3.0	3.0
8	陶春兰	兰州大学物理科学与技术学院	6	12	3.0	3.0