解理面预处理方法对二次外延的影响

• 作者: 唐蕾 张春玲 徐波 王占国 陈涌海
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子束外延 量子线 表面结构
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 544-548
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3737字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.027

摘要

利用超晶格解理面方法制备定位生长的InAs量子线.首先以分子束外延技术在OaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs超晶格,然后将样品取出外延系统进行解理,对解理面进行预处理之后在(110)解理面上进行二次外延.实验结果显示超晶格解理面的预处理方法对二次外延有重大影响,其中择优腐蚀比自然氧化更有利于量子线的定位生长,过高温度的脱氧除气会导致解理面的GaAs部分出现坑状结构,表明(110)面上的Ga原子容易脱附.同时,Ga原子在(110)面上的迁移长度比较大,原子的择优扩散方向为[001]方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐波	中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室	92	929	15.0	27.0
2	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室	101	701	15.0	23.0
3	张春玲	南开大学物理科学学院	12	189	5.0	12.0
7	唐蕾	武警医学院物理教研室	4	3	1.0	1.0
8	陈涌海	中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室	16	40	4.0	5.0