Vishay推出最小占位面积的新型20VP通道TrenchFET功率MOSFET

• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 通道 面积 占位 MICRO 芯片级封装 导通电阻 Inc
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 页码范围: 84
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

Vishay Intertechnology。Inc．推出新型20V p通道TrenchFET功率MOS—FET—Vishay Siliconix Si8445DB．该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有业界最小占位面积以及1．2V时业界最低的导通电阻。