等离子平板显示中冷阴极纳米金刚石膜的制备

• 作者: 刘建敏 夏义本 徐金勇 王林军 祝雪丰 胡广 黄建
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米金刚石膜 高γ 透过率 电子辅助-热丝化学气相沉积法(EA-HFCVD)
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 自发光显示器
• 页码范围: 72-76
• 页数: 5页
• 分类号: TN873.94
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.01.018

摘要

讨论大面积 4 cm×4 cm 纳米金刚石膜制备工艺.采用电子辅助-热丝化学气相沉积法(EA-HFCVD)在硅片上沉积纳米金刚石膜.生长过程中,预先加 6 安培偏流生长 1 小时,然后在 0.8 千帕条件下,无偏流生长 3 小时.原子力镜表征晶粒尺寸为 30 纳米.样品上任意三点采用原子力镜表征,表现出良好均匀性.采用偏振光椭圆率测量仪和分光计分别表征样品的折射率和透射率.红外波段透过率超过 50%.金刚石膜表面分别进行氢化和氧化处理.通过表征,氢化处理后膜比氧化处理后膜对应的γ值大,约为 0.45.