嵌入式相变存储器的技术特点和研究现状

• 作者: 尹文 程秀兰
• 来源期刊: 信息技术
• 学科: 工学
• 关键词: 相变存储器 相变材料 器件结构 存储阵列
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 综述与评论
• 页码范围: 169-172,174
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 4025字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-2552.2008.05.054

摘要

从2001年Intel在IEDM发表第一篇相变存储器的论文以来,相变存储器的发展十分迅猛.相变存储器由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐射、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH和DRAM而成为未来半导体存储器主流产品.文中系统地介绍了嵌入式相变存储器的存储机理及其主要工作特点,从相变材料,器件结构,存储阵列等方面分析国内外研究现状,并讨论了器件失效与可靠性问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程秀兰	上海交通大学微电子学院	48	205	5.0	12.0
2	尹文	上海交通大学微电子学院	2	11	2.0	2.0