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摘要:
以强σ键连接的sp2和sp3杂化碳饱和簇模型,即金刚石和石墨两相和团簇模型为研究对象,通过分子结构、电荷分布、能带结构、电子态密度和分子轨道的第一性原理计算和分析,研究了类金刚石薄膜中sp2-sp3轨道杂化的空间结构稳定性的成键特性等.结果表明,成键过程中由于微扰作用破坏了原子内部"吸引"与"排斥"的平衡关系,使电子云重新分布,而键能大小和电子云的重叠密切相关,因而两相共存对电荷分布和结构均有影响.能带结构分析发现sp2杂化C原子将π键引入,产生π和π*能带使带隙变窄,说明类金刚石薄膜的半导体本质.电子态密度计算结果中费米能级附近出现杂质峰,说明存在中间杂化和/或π态和σ态的转化.
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文献信息
篇名 类金刚石薄膜sp2-sp3轨道杂化的第一性原理研究
来源期刊 分子科学学报 学科 化学
关键词 类金刚石薄膜 sp2-sp3轨道杂化 第一性原理 计算机模拟
年,卷(期) 2009,(5) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 316-321
页数 6页 分类号 O641
字数 2685字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-9035.2009.05.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 胡文军 中国工程物理研究院总体工程研究所 93 641 12.0 21.0
2 王丽莉 中国工程物理研究院计算机应用研究所 19 79 5.0 8.0
3 万强 中国工程物理研究院总体工程研究所 43 122 7.0 8.0
4 赵晓平 中国工程物理研究院计算机应用研究所 22 80 5.0 7.0
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第一性原理
计算机模拟
研究起点
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期刊影响力
分子科学学报
双月刊
1000-9035
22-1262/O4
大16开
长春市人民大街5268号
12-82
1981
chi
出版文献量(篇)
1734
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1
总被引数(次)
6859
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