SnO_2-LiZnVO_4系湿敏元件电容特性分析

• 作者: 胡素梅
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: SnO_2-LiZnVO_4系 湿敏电容 频率特性 响应-恢复特性 湿滞特性
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 16-18
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 2340字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2009.12.005

摘要

采用共沉淀法制备SnO_2-LiZnVO_4系湿敏材料,研究了LiZnVO_4的掺杂量对材料湿敏电容的影响.结果表明:LiZnVO_4的掺杂量,环境的相对湿度(RH)、测试信号频率对湿敏电容有较大影响.当x(LiZnVO_4)为10%时,可使材料具有合适的低湿电容和灵敏度.在100 Hz下,当环境的RH从33%上升到93%时,SnO_2-LiZnVO_4系湿敏材料制备的湿敏元件的电容增量可达起始值的2 300%,显示出较高的电容湿度敏感性.湿敏元件的电容响应时间约为54 s,恢复时间约为60 s.湿滞约为RH 6%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡素梅	茂名学院物理系	31	123	7.0	9.0