ICP-PECVD法制备类金刚石膜

• 作者: 刘东平 孙丽 朱立强 白杰
• 来源期刊: 大连交通大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ICP-PECVD 类金刚石膜 粗糙度 沉积速率 光谱诊断
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 机械工程
• 页码范围: 14-17
• 页数: 4页
• 分类号: O484.5
• 字数: 2699字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-9590.2009.02.004

摘要

以CH4为放电气体,利用电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP-PECVD)法制备了类金刚石薄膜,使用.FTIR、AFM、台阶仪对薄膜进行r表征,并对薄膜的沉积过程进行了光谱诊断(OES).研究了射频功率和基底在放电腔体中的佗置对薄膜表面粗糙度、沉积速率和硬度的影响.实验结果表明:A位置处薄膜粗糙度随着功率的增加先减小后增大,随着射频功率的升高,薄膜的硬度逐渐增大,沉积速率先增大后减小,而薄膜硬度和沉积速率都随着与线圈中心距离的增加而减小.光谱诊断结果显示,随着功率的升高,Iβ/Iα和CH的强度呈增大趋势.结合上述研究结果,分析了影响薄膜生长的多种因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙丽	大连交通大学机械工程学院	36	208	8.0	13.0
2	刘东平	大连民族学院光电子技术研究所	19	36	3.0	5.0
3	白杰	大连交通大学机械工程学院	5	11	1.0	3.0
4	朱立强	大连交通大学机械工程学院	1	0	0.0	0.0