硅基电感模型中衬底涡流效应和分布效应分析

• 作者: 廖小平 张志强 杨乐 武锐
• 来源期刊: 东南大学学报（英文版）
• 学科: 工学
• 关键词: 平面电感 衬底涡流效应 分布效应 等效电路模型
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 页码范围: 57-62
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 字数: 1027字
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-7985.2009.01.013

摘要

提出了衬底涡流影响因子和分布效应发生频率的概念,该概念能够准确地反映衬底涡流效应和分布效应与衬底电阻率、电感线圈长度等参数的关系.一个制作在低阻硅和高阻硅衬底上的6圈,线圈长度为3060μm的电感,其衬底涡流影响因子分别为0.3和0.04,分布效应发生频率分别为1.5 GHz和14.5 GHz.实验表明,低阻硅上该电感的等效电路模型必须包含衬底涡流效应和分布效应;而高阻硅上该电感的等效电路模型可以不包含衬底涡流效应和分布效应(测试范围为0.1～12 GHz),其简化等效电路模型仍具有较高的精度,误差在7%之内.