基于低功耗约束的CMOS LNA的优化设计

• 作者: 刘高辉 张金灿
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 低功耗 噪声分析 阻抗匹配
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 固体电路
• 页码范围: 1062-1066
• 页数: 5页
• 分类号: TN432
• 字数: 2522字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.06.018

摘要

针对低功耗电路发展的趋势,在传统的共源共栅结构基础上,同时引入实现噪声优化的PCSNIM技术和提高增益的级间匹配技术,通过合理调节晶体管的尺寸实现了低功耗的指标.电路采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺进行设计,模拟结果表明,在2.45 GHz工作频率下,输入输出匹配良好,增益为14.274 dB,噪声系数为0.669 dB,1 dB压缩点为-16.1 dBm,IIP3为-4.858 dBm,直流功耗仅2.628 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘高辉	西安理工大学电子工程系	37	161	7.0	9.0
2	张金灿	西安理工大学电子工程系	2	8	1.0	2.0