沉积工艺参数对AlN薄膜择优取向影响的实验研究

• 作者: 卢勤 李化鹏 陈希明
• 来源期刊: 天津理工大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁控溅射 择优取向 氮化铝薄膜 金刚石
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 页码范围: 12-14
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 1467字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-095X.2009.05.004

摘要

采用射频磁控溅射法,以高纯Al(99.999%)为靶材,高纯N2为反应气体,在硅及金刚石上制备了氮化铝(AlN)薄膜.研究了氩气氮气比例、溅射气压等工艺参数对AlN膜沉积的影响规律.结果表明,随着氮气比例的增大AlN(002)取向明显增强.溅射气压低有利于以AlN(002)面择优取向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈希明	天津理工大学电子信息工程学院	34	136	7.0	9.0
2	李化鹏	天津理工大学电子信息工程学院	4	35	3.0	4.0
3	卢勤	天津电子信息职业技术学院软件学院	4	14	2.0	3.0