一种高性能的BiCMOS带隙基准电压源

• 作者: 李文昌 石广源 金璐
• 来源期刊: 辽宁大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准电压源 曲率校正 负反馈回路 RC滤波器
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 页码范围: 13-17
• 页数: 5页
• 分类号: TN433
• 字数: 2888字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2009.01.004

摘要

提出了一种新颖的利用负反馈环路以及RC滤波器提高电源抑制比的高精密CMOS带隙基准电压源.采用上海贝岭的1.2 μm BiCMOS工艺进行设计和仿真, spectre模拟表明该电路具有较高的精度和稳定性,带隙基准的输出电压为1.254 V,在2.7 V～5.5 V电源电压范围内基准随输入电压的最大偏移为0.012 mV,基准的最大静态电流约为11.27 μA;当温度-40 ℃～120 ℃范围内,基准温度系数为1 mV;在电源电压为3.6 V时,基准的总电流约为10.6 μA,功耗约为38.16 μW;并且基准在低频时具有100 dB以上的电源电压抑制比(PSRR),基准的输出启动时间约为39 μs.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石广源	辽宁大学物理学院	39	119	6.0	8.0
2	李文昌	电子科技大学微电子与固体电子学院	20	132	6.0	10.0
3	金璐	辽宁大学物理学院	3	5	2.0	2.0