AlInGaN/GaN异质结构材料生长及特性研究

• 来源期刊: 河南科技学院学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: AlInGaN/GaN 异质结构 材料生长
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 页码范围: 45-47
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 字数: 1701字
• 语种: 中文

摘要

AlInGaN四元合金具有独立控制禁带宽度和晶格常数的特性,利用这一特性可以实现性能更为出色的异质结构材料.利用MOCVD技术生长获得了AlInGaN/GaN异质结构.通过汞探针C-V测量和Hall效应测量.发现其电学特性明显优于常规AlGaN/GaN异质结构,通过XDR和AFM分析.发现其势垒层结晶质量十分出色,但表面形貌与常规异质结构相比还存在一定差距.