室温下金刚石薄膜上沉积立方氮化硼薄膜的研究

• 作者: 乐永康 冯健 张旭 徐闰 汤敏燕 王林军
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: BN薄膜 金刚石薄膜 射频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 页码范围: 1083-1087
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2968字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射技术分别在纳米与微米金刚石薄膜上制备立方氮化硼(c- BN)薄膜.金刚石薄膜由拉曼光谱(Raman)及原子力显微镜(AFM)进行表征.采用傅立叶变换红外光谱(FTIR)研究了不同沉积温度对c- BN薄膜生长的影响,结果表明在金刚石薄膜上生长c- BN不存在温度阈值,室温下生长的c- BN含量可达70%以上.当沉积温度由室温向上升高时,对于纳米金刚石薄膜衬底上生长的BN薄膜而言,其中的立方相含量反而逐渐降低.此外,随着沉积温度的降低,c- BN对应的峰位向低波数方向偏移的现象表明低温下生长的c- BN薄膜内应力较小.文中探讨了产生此现象的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王林军	上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系	109	441	11.0	14.0
2	张旭	上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系	51	269	9.0	15.0
3	乐永康	复旦大学物理系	29	175	7.0	12.0
4	冯健	上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系	1	0	0.0	0.0
5	徐闰	上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系	6	7	2.0	2.0
6	汤敏燕	上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系	2	2	1.0	1.0