张应力退火对玻璃包覆钴基非晶丝GMI影响

• 作者: 梁培 江建军 田斌 马强
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 巨磁阻抗 磁畴 内应力 非晶态
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TB383
• 字数: 2204字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2009.10.001

摘要

采用张应力–焦耳热方式对玻璃包覆钴基非晶丝进行退火,测量其退火后的磁滞回线和磁阻抗值,研究张应力退火对玻璃包覆钴基非晶丝静磁性能和巨磁阻抗(GMI)效应的影响.结果表明:通过处理,其各向异性场降低,其中经140 MPa张应力退火的样品GMI峰值最大可达80%,所对应的磁场强度降至60 A/m.随着玻璃包覆钴基非晶丝内应力的改变,导致样品壳内畴的体积增加,引起应力感生横向各向异性,从而影响GMI效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江建军	华中科技大学电子科学与技术系	105	993	18.0	25.0
2	马强	华中科技大学电子科学与技术系	28	414	9.0	20.0
3	梁培	华中科技大学电子科学与技术系	8	43	3.0	6.0
4	田斌	武汉工程大学电气信息学院	13	21	3.0	4.0