内应力对玻璃包覆钴基非晶丝巨磁阻抗的影响

• 作者: 何华辉 梁培 江建军 田斌 马强
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 巨磁阻抗 磁畴 内应力 非晶态
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: TB383
• 字数: 3187字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.07.012

摘要

通过测量玻璃包覆钴基非晶丝、去除玻璃包覆层非晶丝和经直流焦耳热退火后玻璃包覆非晶丝的磁阻抗值,研究了玻璃包覆层和直流退火对玻璃包覆钴基非晶丝内应力及巨磁阻抗效应的影响.结果表明:通过处理,玻璃包覆非晶丝的GMI最大值更容易在弱磁场出现;随着淬火残余内应力的改变,导致样品壳内畴的体积增加,引起应力感生横向各向异性,从而增强GMI效应;其中经90 mA直流退火的样品GMI峰值最大可达144%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江建军	华中科技大学电子科学与技术系	105	993	18.0	25.0
2	何华辉	华中科技大学电子科学与技术系	110	1350	20.0	29.0
3	马强	华中科技大学电子科学与技术系	28	414	9.0	20.0
4	梁培	华中科技大学电子科学与技术系	8	43	3.0	6.0
5	田斌	华中科技大学电子科学与技术系	13	21	3.0	4.0