使用低电阻金属铝制造薄膜晶体管阵列信号电极

• 作者: 刘翔 王威 谢振宇 陈旭 高浩然
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 铝 腐蚀 刻蚀
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 器件制备技术及器件物理
• 页码范围: 533-536
• 页数: 4页
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 2379字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2009.04.013

摘要

金属电阻是影响大尺寸TFT-LCD信号延迟的关键因素.研究了利用低电阻率金属Al制作大尺寸TFT阵列信号线的生产工艺,发现在完成有源半导体层刻蚀后残留的少量Cl2会在后续工艺中对金属Al造成腐蚀,严重地影响了产品的性能.通过优化刻蚀工艺,采用活性更高的SF6去除刻蚀有源半导体层时残留的少量Cl2,避免了金属Al腐蚀的发生.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈旭		11	41	4.0	5.0
2	谢振宇		12	62	5.0	7.0
3	王威		4	36	2.0	4.0
4	刘翔		3	18	3.0	3.0
5	高浩然		1	8	1.0	1.0