宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望

• 作者: 张有润 张波 李肇基 邓小川
• 来源期刊: 中国电子科学研究院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 宽禁带半导体 碳化硅 功率器件
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: "元器件"专题
• 页码范围: 111-118
• 页数: 8页
• 分类号: TN31|TN387
• 字数: 5929字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-5692.2009.02.001

摘要

碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料.文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展,介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景.同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	206	1313	17.0	26.0
2	邓小川	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	11	258	5.0	11.0
3	李肇基	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	85	958	14.0	28.0
4	张有润	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	10	167	3.0	10.0