在PI衬底上制备CdS薄膜及其性能表征

• 作者: 方小红 李巍
• 来源期刊: 华南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 化学水浴法 硫化镉 铜铟镓硒 太阳电池
• 年，卷（期）: 2009,（z1）
• 页码范围: 17-19
• 分类号: TM914.4
• 字数: 1683字
• 语种: 中文

摘要

介绍用化学水浴法在聚酰亚胺(PI)衬底上沉积铜铟镓硒薄膜太阳电池的缓冲层CdS薄膜. 研究制备CdS薄膜过程中的一些化学反应过程和反应机理,着重研究在沉积过程中,氨水浓度和水浴温度温度对CdS薄膜品质的影响. 经过实验比较得到沉积CdS薄膜的较佳氨水浓度和水浴温度条件为:1.3×10-3 mol/L NH3·H2O,75 ℃水浴温度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李巍	中国电子科技集团公司第十八研究所化学与物理电源技术重点实验室	8	22	3.0	4.0
2	方小红	中国电子科技集团公司第十八研究所化学与物理电源技术重点实验室	5	52	4.0	5.0