铒离子注入晶体硅的射程分布和离散研究

• 作者: 付刚 季燕菊 王凤翔 秦希峰 赵优美
• 来源期刊: 山东建筑大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 离子注入 卢瑟福背散射技术 射程分布
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 212-214
• 页数: 3页
• 分类号: O471.4
• 字数: 1639字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-7644.2009.03.006

摘要

用400 keV能量的铒离子垂直注入晶体硅(Si)样品中.利用卢瑟福背散射技术研究了能量为400 keV、剂量为5×1015ions/cm2的铒离子注入Si晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布.测出的实验值和TRIM'98得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM'98模拟计算的理论值符合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王凤翔	山东建筑大学理学院	16	48	4.0	5.0
2	秦希峰	山东建筑大学理学院	11	16	2.0	2.0
3	季燕菊	山东建筑大学理学院	12	30	3.0	5.0
4	付刚	山东建筑大学理学院	12	40	3.0	5.0
5	赵优美	山东建筑大学理学院	5	11	2.0	2.0