SiGe合金半导体中自间隙缺陷和两种碳相关缺陷的计算研究

• 作者: 凌芝 周成冈 杨福华 谭劲
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: Si1-xGex 合金 从头计算法 W缺陷 碳相关缺陷
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 343-347
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.02
• 字数: 3170字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2009.03.011

摘要

采用从头计算(ab initio)的方法对比研究了Si1-xGex合金半导体材料中W缺陷、CiCs缺陷和CiOi缺陷的性质.在S1-xGex合金中,Ge原子不能与缺陷核心的C原子和O原子直接成键,但可能与W缺陷核心的间隙Si原子相连.在含CiOi缺陷的晶胞中,Ge原子倾向于取代沿[110]伸长方向的Si原子.随着合金中Ge含量的升高,W缺陷的形成能不断增加,结构稳定性逐渐降低.与w缺陷不同的是,CiCs缺陷和CiOi缺陷在不同Ge含量的Si1-xGex合金中形成能变化较小,变化幅度在0.15 eV以内,理论研究结果与前人的实验结果相吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周成冈	中国地质大学材料科学与化学工程学院	12	56	4.0	7.0
2	谭劲	中国地质大学材料科学与化学工程学院	17	95	5.0	9.0
3	杨福华	中国地质大学材料科学与化学工程学院	2	4	1.0	2.0
4	凌芝	中国地质大学材料科学与化学工程学院	1	0	0.0	0.0