纳晶硅氧化层中陷阱态的发光模型

• 作者: 于示强 张荣涛 王晓允 秦朝建
• 来源期刊: 贵州大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 光致荧光 多孔硅 陷阱态
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 光电子、电信技术及计算机科学技术
• 页码范围: 31-35
• 页数: 5页
• 分类号: TN249
• 字数: 2694字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5269.2009.01.009

摘要

纳晶硅氧化以后的PL发光带中心明显地钉扎在690nm～750nm波长之间,发光强度有显著的增加.我们通过研究纳晶硅氧化后化学键结构的改变和对应能带结构的变化,表明在较小尺寸纳晶硅的氧化过程中,有Si-O-Si桥键和Si=O双键的形成,产生对应的电子陷阱态出现在带隙中.PL发光的增强和中心波长的钉扎效应可以用纳晶硅中的量子受限理论和带隙中的陷阱态模型来解释.其中,陷阱态的位置低于量子受限激发态的位置是PL发光出现钉扎与增强效应的必要条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张荣涛	贵州大学贵州省光电子技术与应用重点实验室	9	17	3.0	4.0
2	王晓允	贵州大学贵州省光电子技术与应用重点实验室	6	10	2.0	3.0
3	于示强	贵州大学贵州省光电子技术与应用重点实验室	5	7	2.0	2.0
4	秦朝建	中国科学院地球化学研究所	30	225	8.0	14.0