非线性补偿的低温漂低功耗CMOS带隙基准源的设计

• 作者: 吕坚 吴志明 杨鹏 蒋亚东
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 带隙基准源 CMOS 低功耗 低温漂 非线性补偿
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 电子信息材料与器件
• 页码范围: 137-140
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1880字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2009.01.034

摘要

设计了一种基于电流模式的具有非线性补偿的低温漂低功耗带隙基准电压源.在传统电路的基础上增加一个三极管和两个电阻达到对双极型晶体管的发射结电压VBE中与温度相关的非线性项的补偿.电路采用CSMC0.5μm DPTM CMOS工艺制造.该电路结构简单,在室温下的输出电压为1.217V,在-40℃-125℃的范围内温度系数为4.6ppm/℃,在2.6～4V之间的电源调整率为1.6m V/V.在3.3 V的电源电压下整个电路的功耗仅为0.21mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴志明	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	78	544	13.0	17.0
2	蒋亚东	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	318	2024	18.0	25.0
3	吕坚	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	35	246	10.0	13.0
4	杨鹏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	15	132	7.0	11.0