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摘要:
采用在线测试等离子体发射光谱的方法,研究了ZnO薄膜和ZAO薄膜磁控溅射生长等离子体的状态,分析了ZAO薄膜生长过程中的工作压强、溅射功率和衬底温度这几个重要参数对等离子体状态影响的规律.结果表明:主要是等离子体中粒子的密度随实验参数发生规律性变化,其变化规律与实验参数对薄膜生长质量影响的规律基本一致,可以定性地解释影响薄膜结晶质量的直接原因.最佳参数为:压强0.2 Pa, 功率80 W和温度450 ℃.
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文献信息
篇名 ZnO和ZAO薄膜磁控溅射等离子体发射光谱
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 无机非金属材料 ZAO薄膜 等离子体 发射光谱
年,卷(期) 2009,(3) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 42-44
页数 3页 分类号 TN304
字数 2756字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2009.03.013
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 熊予莹 华南师范大学物理与电信工程学院 38 421 11.0 19.0
2 韩力 华南师范大学物理与电信工程学院 2 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
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无机非金属材料
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发射光谱
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电子元件与材料
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51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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