CuIn金属预置层以及硒化温度对CIS薄膜的影响

• 作者: 师磊
• 来源期刊: 建材世界
• 学科: 工学
• 关键词: CIS薄膜 硒化温度 薄膜
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 17-19
• 分类号: TB3
• 字数: 1454字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3963/j.issn.1674-6066.2009.06.006

摘要

由于CuInSe2(简称CIS)薄膜太阳能电池材料的吸收系数高、带隙可控、结晶品质高、弱光性能好、抗辐射能力强、电池性能稳定、制造成本低、光电转换效率达到了21.5%,其相应的薄膜制备工艺成为了太阳能电池行业主要生产方向之一.该文在特定的实验条件下,通过实验分析测试,简要介绍了CuIn金属预置层以及硒化温度对CIS薄膜制备产生的可能影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	师磊		14	30	3.0	5.0