光电耦合器总剂量辐照的噪声表征

• 作者: 刘永智 李应辉 蒋城 陈春霞
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电耦合器 辐照 噪声
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1707-1711
• 页数: 5页
• 分类号: O47|TN2
• 字数: 3460字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2009.08.014

摘要

本文在研究光电耦合器工作原理、辐照理论及1/f噪声理论的基础上,分析了光电耦合器辐照噪声产生机理及特性,建立了光电耦合器总剂量辐照损伤噪声模型.研究结果表明,随着辐照总剂量增强,LED及光敏管氧化层中引入的氧化层陷阱密度增多,载流子数涨落增强,从而使电压噪声功率谱密度增加.实验结果验证理论分析的正确性,电压噪声功率谱密度可作为光电耦合器辐照损伤表征参量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘永智	电子科技大学光电信息学院	192	1583	19.0	29.0
2	李应辉	电子科技大学光电信息学院	9	53	4.0	7.0
6	陈春霞		16	41	4.0	5.0
7	蒋城		10	55	4.0	7.0