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摘要:
开展了光电耦合器在0.01,0.1,1.0和50 rad(Si)/s四种剂量率下的伽玛射线(60Coγ)辐照实验,结果表明:γ辐照导致光电耦合器电流传输比下降,辐照到相同总剂量,电流传输比下降幅度基本上随剂量率的减小而增大.在不拆封破坏光电耦合器的情况下,通过对光电耦合器中的发光二极管I-V特性、光敏晶体管增益及初级光电流的测试,以及耦合介质传输损耗特性的分析,证明了导致光电耦合器电流传输比退化的主导因素是光敏晶体管C-B区光响应度的下降.
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文献信息
篇名 光电耦合器不同辐照剂量率下的伽玛总剂量效应
来源期刊 强激光与粒子束 学科 工学
关键词 光电耦合器 γ总剂量 低剂量率辐照损伤增强
年,卷(期) 2014,(8) 所属期刊栏目 粒子束技术
研究方向 页码范围 241-245
页数 5页 分类号 TN36
字数 3387字 语种 中文
DOI 10.11884/HPLPB201426.084001
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研究主题发展历程
节点文献
光电耦合器
γ总剂量
低剂量率辐照损伤增强
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
强激光与粒子束
月刊
1001-4322
51-1311/O4
大16开
四川绵阳919-805信箱
62-76
1989
chi
出版文献量(篇)
9833
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7
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61664
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